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三極管BJT與場(chǎng)效應(yīng)管FET的區(qū)別

2021/9/22 22:23:48

三極管BJT與場(chǎng)效應(yīng)管FET的區(qū)別很多,簡(jiǎn)單列幾條:

1.      三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制,BJT放大電流,F(xiàn)ET將柵極電壓轉(zhuǎn)換為漏極電流。BJT第一參數(shù)是電流放大倍數(shù)β值,F(xiàn)ET第一參數(shù)是垮導(dǎo)gm;

2.        驅(qū)動(dòng)能力:MOS管常用電源開關(guān)管,以及大電流地方開關(guān)電路;

3.        成本問題:三極管便宜,MOS貴;

4.        BJT線性較差,F(xiàn)ET線性較好;

5.        BJT噪聲較大,F(xiàn)ET噪聲較?。?/span>

6.        BJT極性只有NPN和PNP兩類,F(xiàn)ET極性有N溝道、P溝道,還有耗盡型和增強(qiáng)型,所以FET選型和使用都比較復(fù)雜;

7.        功耗問題:BJT輸入電阻小,消耗電流大,F(xiàn)ET輸入電阻很大,幾乎不消耗電流;

  實(shí)際上就是三極管比較便宜,用起來方便,常用在數(shù)字電路開關(guān)控制;MOS管用于高頻高速電路,大電流場(chǎng)合,以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。

  總的看,無(wú)論在分立元件電路還是集成電路中,F(xiàn)ET替代BJT都是一個(gè)大趨勢(shì)。


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